王金斌

时间:2022-04-02 09:15:48  来源:   阅读量:
职务 执行院长 办公室 材料大楼B305
电话 0731-58298428 邮箱 jbwang@xtu.edu.cn

  • 姓   名:王金斌
  • 职   务:执行院长
  • 办公室:材料大楼B305
  • 电   话:0731-58298428
  • 邮   箱:jbwang@xtu.edu.cn
 

一、个人简介

王金斌,男,汉族,19729月生,中共党员,湖南武冈人,理学博士,二级教授、博导,教育部新世纪人才、湖南省芙蓉学者特聘教授、省政府特殊津贴专家、湖南省杰青、国家地方联合工程实验室主任。国家科技奖、国家自然科学基金、教育部博士点基金、博士后基金等评审专家;教育部科技服务委员会委员、国家原子能机构抗辐照中心理事、中国仪表功能材料学会理事、《无机材料学报》编委。在Nature CommunicationsAdvanced Functional Materials等重要刊物发表论文100余篇,被Science等刊物论文他引4000余次。授权国家发明专利30余项。先后获得国家级教学成果二等奖、湖南省自然科学一等奖、湖南省青年科技奖等奖励。

二、学习工作经历

学习经历:

  2002/03 - 2005/03,中国科学院上海技术物理研究所,微电子学与固体电子学专业,博士,导师:陆卫

  1997/09 - 2000/06,湘潭大学,凝聚态物理专业,硕士,导师:杨国伟

  1992/09 - 1996/06,湘潭大学,物理学专业,学士

工作经历:

  2007/12 - 至今,湘潭大学,教授

  2013/09 - 2015/02,美国内布拉斯加-林肯大学(University of Nebraska- Lincoln),访问学者

  2010/01 - 2010/02,日本东京工业大学(Tokyo Institute of Technology)Global COE教授

  2006/05 - 2007/05,日本国立材料研究所(National Institute for Materials Science),访问学者

  2004/07 - 2007/11,湘潭大学,副教授

  2000/07 –2004/06,湘潭大学,讲师

  1996/06 - 2000/06,湘潭大学,助教

三、主讲课程

本科:固体物理导论、半导体物理、电子技术、光电子材料与器件、材料科学与工程专业导学

研究生:半导体器件物理

四、研究方向

l   先进信息材料与器件

l   先进能源材料与器件

l   薄膜与涂层材料

五、获奖情况

1.      欧阳晓平、王金斌、林建国、孙立忠、马增胜、李江宇、刘金刚、杨雪娟、胡义伟、蒋文娟、钟向丽、唐明华、朱旺、齐福刚、张德闯,红色传承、需求引领、能力为本、多维评价:材料类研究生培养模式探索与实践,国家高等教育教学成果二等奖,中华人民共和国教育部,2023/07

2.      王金斌,湖南省政府特殊津贴专家,湖南省人力资源和社会保障厅,2017/11

3.      王金斌,中国电介质物理优秀青年奖,中国物理学会,2016/08

4.      周益春,王金斌,郑学军,钟向丽,唐明华,马颖,无铅铁电薄膜及其器件的失效与性能调制,湖南省自然科学一等奖,湖南省人民政府,2012/01

5.      王金斌,第八届湖南省青年科技奖,中共湖南省委组织部、湖南省人力资源和社会保障厅、湖南省科学技术协会,2011/11

六、科研项目

1.      二维MX铁电材料面内畴特性的光学二次谐波探测及极化调制研究,国家自然科学基金面上项目,51872251,主持;

2.      六角LuFeO3外延薄膜中铁磁性能的声子调制与增强研究,国家自然科学基金面上项目,61574121,主持;

3.      铁电薄膜的宽温域巨电热效应及其与畴变的关联研究,国家自然科学基金面上项目,11272274,主持;

4.      电场非挥发性调制高温稀磁半导体/铁电体异质结构中的磁化行为研究,国家自然科学基金青年项目,50702048,主持;

5.      新型电子信息薄膜及其器件研究,湖南省芙蓉学者计划项目,2011-2015年,主持;

6.      非挥发性晶体管用稀磁半导体/铁电体异质结的制备及磁化调制研究,湖南省杰出青年基金, 09JJ1006,主持;

7.      大面积无铅铁电薄膜的制备及其应用研究,教育部新世纪优秀人才支持计划项目,NCET-08-0687,主持。

七、代表性论著

1.         High-throughput screening thickness-dependent resistive switching in SrTiO3 thin films for robust electronic synapse, Advanced Functional Materials, 33, 2213874 (2023).

2.         Self-recovery of a buckling BaTiO3 ferroelectric membrane, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, https://doi.org/10.1021/acsami.3c12730.

3.         Crystallographically engineered hierarchical polydomain nanostructures in perovskite ferroelectric films, Acta Materialia, 171, 282e290 (2019).

4.         Organic inorganic copper(II)-based material: a low-toxic, highly stable light absorber for photovoltaic application, The Journal of Physical Chemistry Letters, 8, 1804 (2017).

5.         Switchable photoelectrochemical response controlled by ferroelectric polarization in (101)-oriented Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin film, Materials & Design, 129, 186 (2017).

6.         Improved response/recovery time and sensitivity of SnSe nanosheet humidity sensor by LiCl incorporation, Advanced Electronic Materials, 6, 1901330 (2020).

7.         High-fluence proton induced degradation on the AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors, IEEE Transactions on Nuclear Science, 67,1339, (2020).

8.         Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Acta Materialia, 55, 183 (2007).

八、知识产权与成果转化

1.      一种基于α-In2Se3二维纳米片的湿度传感器及其制备方法,专利号:ZL 202110126005.9,中国发明专利;

2.      一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法,ZL 201810986245.4,中国发明专利;

3.      一种多孔发热膜及其制备方法,ZL 201611204686.1,中国发明专利;

4.      一种光电功能材料及其应用,ZL 201611039255.4,中国发明专利;

5.      一种基于导电丝和极化共控制的多值存储单元,ZL 201610223436.6,中国发明专利;

6.      一种制备袖珍型多孔陶瓷基钛电热膜的方法,ZL 201610039516.6,中国发明专利;

7.      一种SnO2基光阳极的表面修饰方法,ZL 201610039591.2,中国发明专利;

8.      一种限制少、效率高、成本低的光催化涂层的制备工艺,ZL 2015102889448,中国发明专利;

9.      一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法,ZL 201510626699.7,中国发明专利;

10.   一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法,ZL 2015102889700.X,中国发明专利。